Os símbolos literais empregados com diversos transistores
Para representar correntes, tenções e potências,podemos usar tantas letras maiúscula como minúsculas conforme se segue:
I ou i para correntes
U ou i para tensões
P ou p para potências
As letras minúsculas são usado na representação de grandezas que variam com o tempo; as letras maiúscula são empregada para indicação de valores contínuos, valores méd
ios e valores máximo tanto de como de tensões e potências.
As tenções, correntes e potências podem vir acompanhadas de índices que se refere as condições em que as grandezas são obtidas, assim como outras informações de importâncias para o usuário do componente.
São os seguintes índices que podemos encontrar no caso dos transistores bipolares:
E,e - emissor
B,b - base
C,c coletor
Esse são os aspectos de vários transistores
C,c coletor
Gráfico esquemático dos transistores
Os transistores possuem diversas características. Seguem alguns exemplos dos parâmetro mais comum que poderão ser consultados nos datasheets dos fabricantes.
veja:
Vcb -Tensão contínua entre o coletor e a base, sendo o terminal de base tomando como referencia. Nesse caso deve-se observar que num transistor NPN a tensão de coletor é MENOR que a tensão de base. de modo que esta tensão será dada então por valor NEGATIVO.
Vce -Tensão contínua entre o coletor e o emissor, tomando o emissor com referencia. Também neste caso, para os transistores PNP esse valor será negativo, pois a tenção de emissor tomada como referencia é mais elevada de que a tenção de coletor. para os transistores NPN temos um valor positivo para esta grandeza.
Veb -Tensão contínua entre o emissor e a base, tomando a base como referencia. Aqui temos uma leitura positiva para os transistores PNP, pois a tenção de emissor é mais elevada de que a tenção de base, enquanto o seu valor é negativo par os transistores NPN.
Vbe -Tensão contínua entre a base e o emissor, tomando o emissor como referência. nesse caso, evidentemente, a inversão do sinal de grandeza em relação a medida anterior. Para os transistores NPN esse valor é positivo e para os PNP é negativo.
Vcbo -Tensão contínua entre o coletor e a base, quando a corrente de emissor é nula, ou seja, quando o terminal de emissor se encontra desligado (aberto), e a corrente de coletor é especificada. A tensão, evidentemente, é tomada tendo referência o terminal da base.
Vebo -Tensão contínua entre o emissor e a base, tomando o terminal de base como referência, quando a corrente de coletor é nula (coletor aberto), e a corrente de emissor especificada.
Vceo -Tensão contínua entre o coletor e o emissor de um transistor com corrente de base nula, ou seja, quando o terminal de base se encontra desligado, e com corrente de coletor especificada.
V(br)cbo -Tensão de ruptura entre o coletor e a base, com a corrente de emissor nula e a corrente de coletor especificada. É a tensão que, aplicada entre o coletor e a base, causa a ruptura da junção. Trata-se de um limite máximo para um transistor.
V(br)ebo -Tensão de ruptura entre o emissor e a base, quando o terminal de coletor se encontra aberto, ou seja, corrente de coletor nula, e a corrente de emissor é especificada.
V(br)ceo -Tensão de ruptura entre o coletor e o emissor com o terminal de base aberto, ou seja, quando a corrente de base é nula e a corrente de coletor especificada.
Vbr -Tensão de polarização de base. É a tensão da fonte aplicada ao terminal de base, ou seja a tensão medida no terminal de base , tendo como referência a fonte de alimentação.
Vcc -Tensão de polarização de coletor em relação a fonte de alimentação.
Vee -Tensão de polarização de emissor. Esta tensão é média em relação a fonte de alimentação.
Vf -Tensão direta. esta especificação se refere a uma tensão no sentido direto de uma junção semicondutora.
Vr -Tensão inversa. trata-se da tensão no sentido inverso aplicada a uma junção semicondutora.
Ic -Corrente contínua de coletor. Trata-se da corrente que flui pelo terminal de coletor. Para os transistores PNP essa corrente tem especificação negativa, e é positiva para os transistores NPN.
Ie -Corrente contínua de emissor. Trata-se da corrente que flui pelo terminal de emissor. Para os transistores PNP também é dada por um valor negativo. Para os transistores NPN seu valor é positivo, conforme o sentido de circulação dessa corrente
Icbo -Corrente de fuga de coletor, ou seja, a corrente de coletor quando a corrente de emissor é nula e a tensão aplicada entre o coletor e a base é especificada.
Iceo -Corrente de fuga de coletor , isto é, a corrente de coletor quando a corrente de base é nula, e a corrente entre o coletor e o emissor é especificada.
Iebo -Corrente de fuga de emissor. é a corrente de emissor quando a corrente de coletor é nula, e a tensão entre o emissor e a base é especificada.
Pc -Potencia dissipado no coletor.estando o transistor à temperatura ambiente ou ainda numa temperatura invólucro do transistor que é especificada
Ptot- Potencia total fornecida ou dissipada pelo transistor (contínua ou média), por meios de todos os seus elementos (base coletor emissor), quando temperatura do invólucro ou a temperatura ambiente são especificadas.
veja o datasheet de alguns transistores em http://adf.ly/14452013/datasheet
Gráfico esquemático dos transistores
Os transistores possuem diversas características. Seguem alguns exemplos dos parâmetro mais comum que poderão ser consultados nos datasheets dos fabricantes.
veja:
Vcb -Tensão contínua entre o coletor e a base, sendo o terminal de base tomando como referencia. Nesse caso deve-se observar que num transistor NPN a tensão de coletor é MENOR que a tensão de base. de modo que esta tensão será dada então por valor NEGATIVO.
Vce -Tensão contínua entre o coletor e o emissor, tomando o emissor com referencia. Também neste caso, para os transistores PNP esse valor será negativo, pois a tenção de emissor tomada como referencia é mais elevada de que a tenção de coletor. para os transistores NPN temos um valor positivo para esta grandeza.
Veb -Tensão contínua entre o emissor e a base, tomando a base como referencia. Aqui temos uma leitura positiva para os transistores PNP, pois a tenção de emissor é mais elevada de que a tenção de base, enquanto o seu valor é negativo par os transistores NPN.
Vbe -Tensão contínua entre a base e o emissor, tomando o emissor como referência. nesse caso, evidentemente, a inversão do sinal de grandeza em relação a medida anterior. Para os transistores NPN esse valor é positivo e para os PNP é negativo.
Vcbo -Tensão contínua entre o coletor e a base, quando a corrente de emissor é nula, ou seja, quando o terminal de emissor se encontra desligado (aberto), e a corrente de coletor é especificada. A tensão, evidentemente, é tomada tendo referência o terminal da base.
Vebo -Tensão contínua entre o emissor e a base, tomando o terminal de base como referência, quando a corrente de coletor é nula (coletor aberto), e a corrente de emissor especificada.
Vceo -Tensão contínua entre o coletor e o emissor de um transistor com corrente de base nula, ou seja, quando o terminal de base se encontra desligado, e com corrente de coletor especificada.
V(br)cbo -Tensão de ruptura entre o coletor e a base, com a corrente de emissor nula e a corrente de coletor especificada. É a tensão que, aplicada entre o coletor e a base, causa a ruptura da junção. Trata-se de um limite máximo para um transistor.
V(br)ebo -Tensão de ruptura entre o emissor e a base, quando o terminal de coletor se encontra aberto, ou seja, corrente de coletor nula, e a corrente de emissor é especificada.
V(br)ceo -Tensão de ruptura entre o coletor e o emissor com o terminal de base aberto, ou seja, quando a corrente de base é nula e a corrente de coletor especificada.
Vbr -Tensão de polarização de base. É a tensão da fonte aplicada ao terminal de base, ou seja a tensão medida no terminal de base , tendo como referência a fonte de alimentação.
Vcc -Tensão de polarização de coletor em relação a fonte de alimentação.
Vee -Tensão de polarização de emissor. Esta tensão é média em relação a fonte de alimentação.
Vf -Tensão direta. esta especificação se refere a uma tensão no sentido direto de uma junção semicondutora.
Vr -Tensão inversa. trata-se da tensão no sentido inverso aplicada a uma junção semicondutora.
Ic -Corrente contínua de coletor. Trata-se da corrente que flui pelo terminal de coletor. Para os transistores PNP essa corrente tem especificação negativa, e é positiva para os transistores NPN.
Ie -Corrente contínua de emissor. Trata-se da corrente que flui pelo terminal de emissor. Para os transistores PNP também é dada por um valor negativo. Para os transistores NPN seu valor é positivo, conforme o sentido de circulação dessa corrente
Icbo -Corrente de fuga de coletor, ou seja, a corrente de coletor quando a corrente de emissor é nula e a tensão aplicada entre o coletor e a base é especificada.
Iceo -Corrente de fuga de coletor , isto é, a corrente de coletor quando a corrente de base é nula, e a corrente entre o coletor e o emissor é especificada.
Iebo -Corrente de fuga de emissor. é a corrente de emissor quando a corrente de coletor é nula, e a tensão entre o emissor e a base é especificada.
Pc -Potencia dissipado no coletor.estando o transistor à temperatura ambiente ou ainda numa temperatura invólucro do transistor que é especificada
Ptot- Potencia total fornecida ou dissipada pelo transistor (contínua ou média), por meios de todos os seus elementos (base coletor emissor), quando temperatura do invólucro ou a temperatura ambiente são especificadas.
veja o datasheet de alguns transistores em http://adf.ly/14452013/datasheet
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